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IBE離子束刻蝕系列機臺
所屬分類：
產品描述
刻蝕范圍：金屬(Au、Pt、Ag、Co、Ni、Ta等);硅基(Si、SiNx、SiO2等);半導體化合物等
尺寸定制，支持整片以及碎片刻蝕
最大口徑φ200mm考夫曼離子源
選配反應刻蝕氣路，如：氧氣、氮氣、氟基氣體、氯基氣體等
水冷控溫
下電極可傾斜0-90°，同時支持旋轉功能
軟硬件互鎖機制
基于Windows操作軟件，具備系統監測、工藝編輯、參數顯示等功能，具備儲存工藝日志和操作記錄的能力
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