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ICP高密度等離子體刻蝕系統刻蝕范圍：硅基：Si、SiNx、SiO2、Ge、GeSi、深硅刻蝕等Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、藍寶石、SiC、金屬(Al、Nb、W)等高密度等離子體支持8英寸或以下尺寸整片以及碎片刻蝕Load-Lock雙腔，真空機械手傳輸氣路數量可根據用戶需求配置背氦精確控溫，可實現低溫/高溫刻蝕軟硬件互鎖機制基于Windows操作軟件，具備系統監測、工藝編輯、參數顯示等功能，具備儲存工藝日志和操作記錄的能力可基于用戶需求定制
隱藏域元素占位
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